鐵電存儲(chǔ)技術(shù)是在1921年早被科學(xué)家提出，一直到1993年，美國(guó)Ramtron公司才成功開(kāi)發(fā)出第yi個(gè)容量只有4Kb的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品。發(fā)展到了現(xiàn)在，如今市面上幾乎的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品都是由美國(guó)鐵電公司制造或授權(quán)制造。

鐵電存儲(chǔ)器在不需要電壓的情況下就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而且也不需要像DRAM那樣周期性的刷新。那么鐵電存儲(chǔ)器是如何來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的呢？這是利用了鐵電晶體的鐵電效應(yīng)。什么是鐵電效應(yīng)?鐵電效應(yīng)是指，將一定的電場(chǎng)強(qiáng)度施加在鐵電晶體上時(shí)，晶體中心原子在電場(chǎng)力的作用下產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)，并且達(dá)到一種穩(wěn)定的狀態(tài)；當(dāng)電場(chǎng)從鐵電晶體移走后，中心原子依然會(huì)保持在原來(lái)的位置上。這是因?yàn)榫w的中間層是一個(gè)高能階，中心原子在沒(méi)有獲得外部能量的情況下不能越過(guò)高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置。

由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用沒(méi)有關(guān)聯(lián)，所以鐵電存儲(chǔ)器的內(nèi)容不會(huì)受到外界條件（比如磁場(chǎng)因素）的影響，能夠同普通ROM存儲(chǔ)器一樣具有非易失性的存儲(chǔ)特性。鐵電存儲(chǔ)器速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫(xiě)功耗極低，不存在大寫(xiě)入次數(shù)的問(wèn)題；不過(guò)受到鐵電晶體特性的制約，鐵電存儲(chǔ)器仍有大訪問(wèn)次數(shù)（也就是讀出次數(shù)）的限制。